Разделы сайта

Читаемое

Обновления Sep-2017

Промышленность Ижоры -->  Керамические композиционные материалы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 [ 121 ] 122 123


Рис. 10.16. Структура геотекстильного нетканого полотна

методы создания текстильных материалов (проф. Е. Н. Бершев, проф. А. Н. Че-лышев).

В настоящее время электрофлокирование получило достаточно широкое распространение, начиная от бытовых тканей и кончая изготовлением элект-

рофлокированных конструкций для интерьера автомобиля, в том числе фирмой Мерседес .

Рассмотрим высокоэффективный супертеплоизоляционный материал, разработанный к. ф.-м. н. Н. Е. Бершевым, к. т. н. Л.В.Лобовой совместно с немецкими учеными из Дрезденского технического университета.

Суперизоляционный флокированный материал (СИФМ) состоит из тонких мембран, разделенных при помощи волокон, ориентированно нанесенных на мембраны методом электрофлокирования (рис. 10.17).

СИФМ в зависимости от использованного сырья можно применять для защиты от высоких или низких температур, для изготовления спецодежды, используемой в экстремальных условиях, в автомобилестроении, самолетостроении, космических летательных аппаратах.

Интересной и практически ценной может оказаться работа проф. А. В. Безпрозванных по электрофлокированию титановых эндопротезов, выполненная совместно со специалистами НИИ Компомед и ЦНИИТО им. Н. Приорова. Смысл этой разработки заключается в том, что эндопротез какого-либо сустава изготавливается из титанового сплава с относительно гладкой поверхностью, и флокирование всей поверхности фторопластовым ворсом создает более быстрые условия вживления протеза в живые ткани.

Тему электрофлокирования можно бьшо бы продолжить, т. к. в этой области существует много новьгх оригинальных разработок, в том числе флокированная нить для чистки зубов, флокированные магнитные сердечники в колебательных контурах радиоприемной и радиопередающей аппаратуры, электро-флокированные обои, напольные покрытия и др.

Заключая настоящую главу, упомянем некоторые новые разработки специального назначения.


Мембрана

Волокна

Клей

Рис. 10.17. Структура суперизоляционного флокированного материала

НИИ при строительстве дорог или других сооружений геотекстильных нетканых материалов, получаемых из расплавов полипропилена (или поли-капроамида), которые выпускаются в виде полотен шириной до 1,5...2 м или других норм.

В дорожном строительстве полотно из пропилена применяется для укрепления слабого грузонесущего грунта, оно хорошо зарекомендовало себя в гидротехническом строительстве, в укреплении береговых откосов и осушении, в строительстве площадок. Использование такого полотна увеличивает срок эксплуатации дорог до 10-15 лет и снижает трудозатраты на 40...50 %. В нашей стране применение нетканых материалов в строительстве дорог в значительной степени связано со строительством скоростных магистралей и переоборудованием существующих дорожных покрытий согласно европейским стандартам.

Здесь мы остановимся на разработанных новых струюурах геотекстиля, которые могут использоваться в различных климатических зонах, а также повысить качество работ при создании искусственных газонов, укреплении земляных сооружений, оврагов и береговых откосов.

Для удовлетворения различных требований бьшо разработано 5 различных структур геотекстильного нетканого полотна. В качестве примера рассмотрим одну из разработанных структур (рис. 10.16).

На указанном рисунке слои 1 и 3 изготовлены из отходов натуральных волокон, слой 4 - из отходов синтетического волокна, слой 5 представляет собой пленку из подплавленных отходов синтетического волокна, наконец, слой 2 состоит из семян травы и при необходимости с добавлением удобрений.

Структура со слоями 1, 2 и 3 предназначена для быстрого травосеяния и оборудования достаточно прочного дерна, причем слои 1 а 3, состоящие из натуральных волокон, разлагаясь, вьщеляют тепло, что ускоряет всхожесть семян и их укоренение.

Более прочная структура состоит из слоев 1, 2, 3 и 4, причем последний заметно укрепляет весь пакет нетканого материала.

Наконец, вариант со всеми пятью слоями - самый прочный из рассматриваемых, т. к. нижний слой представляет калавдрированную пленку из отходов термопластичных волокон.

По рассмотренной технологии и при использовании семян культурных растений можно получить рулонный материал для посевов, в том числе в качестве переносных травяных или цветочных газонов.

СПГУТД совместно с ЦНИХБИ являются первыми в СССР научными организациями, которые в 1960-х годах освоили электростатические




Рис. 10.18. Бронежилет

Шфшографический список

к главе 1

1. Морохов И.Д., Трусов Л.Д., Лаповок В.И. Физические явления в упьтрадисперс-ных средах. - М.: Наука, 1984. - 472 с.

2. Gleiter Н. Nanostruct Mater. - 1992. - V. 1. - № 1. - P. 1.

3. Siegel R. W. Phys. & Chem Solids. - 1994. - V. 55. - № 10. - P. 1097.

4. Валиев P.3., Александров И.В. Наноструктурные материалы, полученные интенсивной пластической деформацией. - М.; Логос, 2000. - 272 с.

5. Щта S. NaШre. - 1991. - V. 354. - Р. 56.

6. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства. - Екатеринбург, 1998. - 200 с.

7. Siegel R.W. Mater Sci. Forum. - 1997. - V. 235-238. - P. 851-860.

8. Дзидзигури Э. Д., Левина В.В., Сидорова Е.Н. и др. Материаловедение. - 2001 -№ 9. - С. 4-52.

9. Валиев Р.З., Александров И.В. Доклады РАН. - 2001. - Т. 380. - № 1. - С. 34-37. 10. Андриевский Р.А., Глезер A.M. ФММ. - 2000. - Т. 89. - № 1. - С. 91-112.

К главе 2

1. Мильвидский М.Г. Изв. вузов. Сер. Материалы электронной техники. - 2000. - № 1. - С. 4-14.

2. Prostomolotov A.I., Verezub N.A. Proceedings of 4* International Conference Single crystals growth and heat mass transfer*, Obninsk, Russia, 2001. - V. 1. - P. 38-57.

3. Gelfgat Yu.M., Abricka M., Krumins J. Ibid. - 2001. - P. 68-79.

4. Мильвидский М.Г. Изв. вузов. Сер. Материалы электронной техники. - 1998. - № 3. С. 4-13.

5. Voronkov V.V. J. Crystal Growth. - 1982. - V. 59. - P. 625-636.

6. Воронков В.В., Мильвидский М.Г. Кристаллография. - 1988. - Т. 33. - С. 471- 477.

7. Voronkov V.V., Falster R. J. Crystal Growth. - 1999. - V. 204. - P. 462- 474.

8. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г. Материаловедение. - 1998. - № 5. - С. 16-29.

9. Марков А.В., Мильвидский М.Г, Освенский В.Б. Рост кристаллов: Сб.. - М.: Наука, 1990. - Т. 18. - С. 214-232.

10. Hagino S., Oisi Н., Abe К., Hayashi К. Proc. З International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, Havaii, USA. - 2000. - P. .108-117.

11. Kolbesen B.O., Baeyens M., Doll O. Ibid. - 2000 - P. 365-373.

12. Istratov A.A., Heesmaer H., Weber E.R. MRS Bulletin. - 2000. - V. 25. - № 6. -P. 33-37.

13. Milvidsky M.G., Voronkov VV, Enisherlova K.L., Reznick VYa. Solid State Phenomena. - 1997. - V. 57-58. - P. 109-114.

14. Bhatti A.R., Falster R., Booker G.R. Solid State Phenomena. -1991. - V. 19-20. -P. 54-56.

15. Falster R., Voronkov VV, Quast F Phys. Stat. Sol. (b). -2000. -V. 222. - P. 219-223.

Так, в СПГУТД (лауреат Государственной премии В. Г. Тиранов с сотрудниками) создали тяжелый, комбинированный бронежилет (рис. 10.18).

От известных конструкций он отличается особым переплетением нитей, не позволяющих расходиться особопрочным металлическим пластинам из специального сплава при попадании пули или снарядного осколка на их стык. В разработанном бронежилете при необходимости могут отстегиваться высокий воротник, предохраняющий шею, наплечники, налокотники и другие модули.

В МГУТиД проф. В.А. Фукиным и его сотрудниками в содружестве с Институтом машиноведения РАН разработана оригинальная виброс-тимулирующая обувь, воздействующая на рецепторные точки стопы. Вибрация передается стопе с помощью трех специальных датчиков, расположенных на опорной поверхности обуви. Созданная обувь прошла успешную апробацию в медицинских учреждениях для лечения двигательных нарушений в условиях ограниченной подвижности. Значение такой обуви в современных условиях совершенно очевидно.

В настоящей главе рассмотрены далеко не все направления развития текстильной и легкой промышленности. Мы пытались описать научные разработки по созданию новьгх материалов, выполненные как вузами России, так и другими научными организациями и показавшие положительные результаты при реализации этих разработок.

Выполняемые НИР соответствуют основным направлениям мировой научной мысли и по мере развития экономики России должны быть широко востребованы.



16. Falster R. Proceedings of the 9 autumn meating on Gettering and Defect Engineering in Semicond. Technology*, Catania, Italy. - 2001 (в печати).

17. Mitani К., Gnsele U.M. J. Electronic Materials. - 1992. - V. 21. - P. 639-676.

18. Bengtson S. II Ibid. - 1992. - P. 841-861.

19. Milvidskii M.G., Enisherlova K.L., Reznik V.Ya. et al. Advanced Performance Materials.

- 1997. - V. 4. - P. 165-181.

20. Collinge J.P. II MRS Bulletin. - 1998. - V. 23. № 12. - P. 16-19.

21. Bumberg D., Grundmann M., Ledentson N.N. MRS Bulletin. - 1998. - V. 23. -№ 2. - P. 31-34.

22. Nozik A.J., Micic O.J. II Ibid. - 1998. - P. 24-30.

23. Dameron C.T., Reese R.N., Mehra R.K., Kortan A.R. et al. Nature. - 1998. -V. 338. - P. 596-600.

24. Алферов Ж.И. Ц ФТП. - 1998. - Т. 32. - С. 3-18.

25. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники.Новоси-бирск, 2000. - 332 с.

26. Imai М., Nakahara S., Inoue К., et al. Proc. 3 International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, Havaii, USA. - 2000. -P. 118-123.

27. Konig U. II in: Solid State Phenomena, V. 69-70 Eds. Grimmeis H.G., Kittler M. and Richter H., Scitec Publications Ltd, Switzerland. - 1999. - P. 121-130.

28. Акчурш P.X., Мармалюк A.A. I I Материаловедение. - 2001. - № 9. - С. 30-38.

29. Kimerling L.C. Ц in: Solid State Phenomena, V. 69-70 Eds. Grimmeis H.G., Kittler M., Richter H., Scitec Publications Ltd, Switzeriand. - 1999. - P. 131-140.

30. Coffa S., Franzo G., Priolo F MRS Bulletin. - 1998. -V. 23. - № 2. - P. 25-32.

31. TepuKoe Е.И., Гусев О.Б., Коньков О.И. и др. Нанофотоника. Материалы совещания. Н. Новгород: ИФМ, 2002. - С. 138-142.

32. Штейнман Э.А. Ibid. - 2002. - С. 55-58.

33. Suemasu Т., Negishi Y., Такакига К. J. Appl. Phys. - 2000. - V. 39. - P. 1013-1015.

34. Gelloz В., Koshida N. J. Appl. Phys. - 2000. - V. 88. - P. 4319-4322.

35. Compano R. Trends in nanoelectronics Nanotechnology. - 2001. - № 12. - P. 85-86.

36. Green M.L ., Gusev E.P., Degraeve R. et al. J. Appl. Phys. - 2001. - V. 90. -№ 5. - P. 2057-2121.

37. Красников Г.Я., Зайцев H.A., Матюшкин И.В. Микроэлектроника. - 2001. - Т. 30. - № 5. - С. 369-376.

38. Hiwshi Nakatsuji, Yasuhisa Omura. Ц Jap. J. Appl. Phys. - 2000. - V. 39. - № 2A -P. 424-431.

39. Bondarenko G.G., Andreev V.V., Loskutov S.A. et al. Surface and Interface Analysis. -

1999. - V. 28. - P. 142-145.

40. Arnold D., Cartier E., DiMaria D.J Rev. B. - 1994. - V. 49. - № 15. -P. 10278-10297.

41. DiMaria D.J, Buchanan D.A., Stathis J.H. et al. i. Appl. Phys. - 1995. - V. 77. -№ 5. - P. 2032-2040.

42. Бондаренко Г.Г., Столяров A.A. Физика и химия обработки материалов. - 1997.

- № 3. - С.22-26.

43. Андреев В.В., Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г. и др. Микроэлектроника. - 1997. - № 6. - С. 640-646.

44. Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Ждан А.Г. и др. Микроэлектроника. - 2001. -т. 30. - № 5. - С. 364-367.

45. Грехов И.В. Изв. вузов. Материалы электронной техники. - М.: -МИСИС ,

2000. - № 3. - С. 9-14.

К главе 3

1. Поварова КБ., Банных О.А., Казанская Н.К, Антонова А.В. Металлы. - 2001. -№ 5. - С. 68-78.

2. Лякишев Н.П. Конструкционные функциональные материалы. Настоящее и будущее. ВНН. Современное материаловедение, XXI век. - Киев: Наукова думка, 1998. - С. 284-296.

3. Экспериментальная механика: Кн. 2 / Под ред. А. Кобаяси. - Пер. с англ. - М.: Мир, 1990. - С. 336-417.

4. Физическое металловедение: Т. 2. Фазовые превращения в металлах и сплавах с особыми физическими свойствами. / Под ред. Р.У. Кана, П.Т. Хаазена. - Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1987. - С. 550-574.

5. Чернявский С.А., Пыльников В.К, Тимофеев А.Н. Теория и практика технологий произвоводства изделий из композиционных материалов и новых металлических сплавов - 21 век Тр. межд. конф. - М., 2002. - С. 145-151.

6. Чернышева ТА., Кобелева Л.И., Болотова Л.К. Металлы. - 2001. - № 6. -С. 85-98.

47. Агаларзаде П.С, Петрин А.И., Изитдинов СО. Основы конструирования и обработки поверхности р-л-перехода. - М.: Советское радио, 1978. - 233 с.

48. Зи СМ. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. - М.: МИР, 1983. - 455 с.

49. Batdorf R.L., Chynweth A.J, Dacey G.C, Fay P.W. .J. Appl. Phys. - 1960. - V. 31. -P. 273-286.

50. Вул Б.М., Шотов А.П. О краевом пробое /)-л-переходов в германии. ЖТФ, Изд-во АН СССР, 1957. - № 10. - 2189 с.

51. Вул Б.М., Шотов А.П. Об ударной ионизации в кремниевых р-л-переходах. В кн.: Физика твердого тела. Ч. 1. - Изд-во АН СССР, 1959. - 452 с.

52. Rogowski R.W. Die electrishe Testigkeit am range des Rcattenkondensators. Archiv fur electrotechnik, 1923. - Bd. 12. - 427 p.

53. Будак Б.М., Самаринский A.A., Тихонов A.H. Сборник задач по математической физике. - М.: Наука, 1980. - 688 с.

54. Shottky W.J. Naturwissenshaften, 1938. - V. 26. - 843 p.

55. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. Пер. с англ. Радио и связь, 1982. - 208 с.

56. Кондратенко Т.Я. Основы теории объемных гетеропереходов как элементов функциональной электроники. Доклад на 1-ой научной конференции по функциональной электронике. - Ленинград: Изд-во АН СССР, 1990. - С. 18.

57. Ishikawa Akira. Transistor on spherical surface. Bell Seniconductor Inc., Allen, Texas. October, 1997. www.ballsemi.com.

58. Тамм И.Е. Основы теории электричества. 9-е изд. - М.: Наука, 1976. - 616 с.

59. Бессонов А.А. Теоретические основы электротехники. - М.: Высшая школа, 1973. -500 с.

60. Калашников С.Г. Электричество. Изд. 5-е. изд. - М.: Наука, 1989. - 576 с.

61. Антонов П.И., Затуловский Л.М., Костычев А.С и др. Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова. - Ленинград: Наука, 1978. - 176 с.

62. Чащинов Ю.М. Формы роста арсенида галлия в иодидной и хлоридной системах: В сб.; Рост и легирование полупроводниковьк кристаллов и пленок. - Новосибирск: Наука, 1977. - С. 106 - 112.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 [ 121 ] 122 123

© 2003 - 2017 Prom Izhora
При копировании текстов приветствуется обратная ссылка